| Numero di parte | SUM70030E-GE3 |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 150A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 7.5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.88 mOhm @ 30A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 214nC @ 10V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 10870pF @ 50V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 375W (Tc) |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-263 (D²Pak) |
| Pacchetto / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Peso | - |
| Paese d'origine | - |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | vista |
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SUM70030E-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CHAN 100-V D2PAK TO-26 | Dettagli |
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SUM70040E-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK | Dettagli |
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SUM70040M-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK | Dettagli |
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SUM70060E-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 131A D2PK TO263 | Dettagli |
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SUM70090E-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 50A D2PK TO263 | Dettagli |
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SUM70101EL-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 100V 120A TO263 | Dettagli |
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SUM70N03-09CP | VISHAY | SUM70N03-09CP VISHAY TO-263 New Original Stocks | Dettagli |
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SUM70N03-09CP-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 70A D2PAK | Dettagli |
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SUM70N04-07L | VISHAY | N-Channel 40-V (D-S) 175C MOSFET | Dettagli |
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SUM70N04-07L-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 40V 70A D2PAK | Dettagli |
