SQS401EN-T1_GE3 - Vishay Siliconix

Numero di parte	SQS401EN-T1_GE3
Stato parte	Active
Tipo FET	P-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	40V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	16A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	21.2nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	1875pF @ 20V
Vgs (massimo)	±20V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	62.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	29 mOhm @ 12A, 10V
temperatura di esercizio	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	PowerPAK® 1212-8
Pacchetto / caso	PowerPAK® 1212-8
Peso	-
Paese d'origine	-

Numero di parte	Produttori	Descrizione	vista
SQS401EN-T1_GE3	Vishay Siliconix	MOSFET P-CH 40V 16A	Dettagli
SQS401ENW-T1_GE3	Vishay Siliconix	MOSFET P-CH 40V 16A POWERPAK1212	Dettagli
SQS405EN-T1_GE3	Vishay Siliconix	MOSFET P-CH 12V 16A POWERPAK1212	Dettagli
SQS405ENW-T1_GE3	Vishay Siliconix	MOSFET P-CH 12V 16A POWERPAK1212	Dettagli
SQS407ENW-T1_GE3	Vishay Siliconix	MOSFET P-CH 30V PPAK 1212-8W	Dettagli