SQP100N04-3M6_GE3 - Vishay Siliconix

Numero di parte	SQP100N04-3M6_GE3
Stato parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	40V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	100A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	3.6 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	135nC @ 10V
Vgs (massimo)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	7200pF @ 25V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	120W (Tc)
temperatura di esercizio	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio	Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore	TO-220AB
Pacchetto / caso	TO-220-3
Peso	-
Paese d'origine	-

Immagine	Numero di parte	Produttori	Descrizione	vista
	SQP100N04-3M6_GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 40V 100A TO220AB	Dettagli
	SQP100P06-9M3L_GE3	Vishay Siliconix	MOSFET P-CH 60V 100A TO220AB	Dettagli