| Numero di parte | SQM40016EM_GE3 |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 250A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1 mOhm @ 40A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 245nC @ 10V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 15000pF @ 25V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 300W (Tc) |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-263-7 |
| Pacchetto / caso | TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab) |
| Peso | - |
| Paese d'origine | - |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | vista |
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SQM40010EL_GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK | Dettagli |
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SQM40014EM_GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 40V 200A TO263-7 | Dettagli |
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SQM40016EM_GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CHAN 40V | Dettagli |
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SQM40022EM_GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CHAN 40V | Dettagli |
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SQM40022E_GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CHAN 40V | Dettagli |
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SQM40031EL_GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 40V 120A D2PAK | Dettagli |
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SQM40061EL_GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CHAN 40V TO-263 | Dettagli |
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SQM40081EL_GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET AUTO P-CHAN 40V D2PAK | Dettagli |
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SQM40N10-30_GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 40A TO263 | Dettagli |
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SQM40N15-38_GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 150V 40A TO263 | Dettagli |
