SQM120N04-1M7L_GE3 - Vishay Siliconix

Numero di parte: SQM120N04-1M7L_GE3
fabbricante: Vishay Siliconix
Breve descrizione: MOSFET N-CH 40V 120A TO263
Stato senza piombo / Stato RoHS: Senza piombo / RoHS
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Categoria: Transistor - FET, MOSFET - Singoli
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Numero di parte	SQM120N04-1M7L_GE3
Stato parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	40V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	120A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	285nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	14606pF @ 20V
Vgs (massimo)	±20V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	375W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.7 mOhm @ 30A, 10V
temperatura di esercizio	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	TO-263
Pacchetto / caso	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Peso	-
Paese d'origine	-

Numero di parte	Produttori	Descrizione	vista
SQM120N02-1M3L_GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 20V 120A TO263	Dettagli
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SQM120N04-1M7L_GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 40V 120A TO263	Dettagli
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