SQJA62EP-T1_GE3 - Vishay Siliconix

Numero di parte	SQJA62EP-T1_GE3
Stato parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	60V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	60A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	85nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	5100pF @ 25V
Vgs (massimo)	±20V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	68W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	4.5 mOhm @ 10A, 10V
temperatura di esercizio	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	PowerPAK® SO-8
Pacchetto / caso	PowerPAK® SO-8
Peso	-
Paese d'origine	-

Numero di parte	Produttori	Descrizione	vista
SQJA60EP-T1_GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 60V 30A POWERPAKSO-8	Dettagli
SQJA62EP-T1_GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 60V 60A SO8	Dettagli
SQJA64EP-T1_GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 60V 15A POWERPAKSOL	Dettagli
SQJA68EP-T1_GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 100V 14A POWERPAKSO	Dettagli