SQJ990EP-T1_GE3

SQJ990EP-T1_GE3 - Vishay Siliconix

Numero di parte
SQJ990EP-T1_GE3
fabbricante
Vishay Siliconix
Breve descrizione
MOSFET ARRAY 2N-CH 100V SO8
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
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Categoria
Transistor - FET, MOSFET - Array
Tempo di consegna
1 Day
Codice data
New
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Prezzo di riferimento
USD 0.5174/pcs
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SQJ990EP-T1_GE3 Descrizione dettagliata

Numero di parte SQJ990EP-T1_GE3
Stato parte Active
Tipo FET 2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET Standard
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 40 mOhm @ 6A, 10V, 19 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 30nC @ 10V, 15nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1390pF @ 25V, 650pF @ 25V
Potenza - Max 48W
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / caso PowerPAK® SO-8 Dual
Pacchetto dispositivo fornitore PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric
Peso -
Paese d'origine -

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