| Numero di parte | SQJ952EP-T1_GE3 |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | - |
| Caratteristica FET | - |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | - |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | - |
| Vgs (th) (Max) @ Id | - |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| Potenza - Max | - |
| temperatura di esercizio | - |
| Tipo di montaggio | - |
| Pacchetto / caso | - |
| Pacchetto dispositivo fornitore | - |
| Peso | - |
| Paese d'origine | - |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | vista |
|---|---|---|---|---|
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SQJ951EP-T1_GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2P-CH 30V 30A PPAK | Dettagli |
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SQJ952EP-T1_GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 60V 8A PPAK SO-8 | Dettagli |
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SQJ956EP-T1_GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2 N-CH 60V POWERPAK SO8 | Dettagli |
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SQJ958EP-T1_GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2 N-CH 60V POWERPAK SO8 | Dettagli |
