SQJ463EP-T1_GE3 - Vishay Siliconix

Numero di parte	SQJ463EP-T1_GE3
Stato parte	Active
Tipo FET	P-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	40V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	30A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	150nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	5875pF @ 20V
Vgs (massimo)	±20V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	83W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	10 mOhm @ 18A, 10V
temperatura di esercizio	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	PowerPAK® SO-8
Pacchetto / caso	PowerPAK® SO-8
Peso	-
Paese d'origine	-

Numero di parte	Produttori	Descrizione	vista
SQJ460AEP-T1_GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 60V 32A PPAK SO-8	Dettagli
SQJ461EP-T1_GE3	Vishay Siliconix	MOSFET P-CH 60V 30A	Dettagli
SQJ463EP-T1_GE3	Vishay Siliconix	MOSFET P-CH 40V 30A	Dettagli
SQJ464EP-T1_GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 60V 32A POWERPAKSO-8	Dettagli
SQJ465EP-T1_GE3	Vishay Siliconix	MOSFET P-CH 60V 8A POWERPAK SO-8	Dettagli
SQJ469EP-T1_GE3	Vishay Siliconix	MOSFET P-CH 80V 32A PPAK SO-8	Dettagli