| Numero di parte | SQD50N04-5M6L_GE3 |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 50A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.6 mOhm @ 20A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 75nC @ 10V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 4000pF @ 25V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 71W (Tc) |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-252AA |
| Pacchetto / caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Peso | - |
| Paese d'origine | - |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | vista |
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SQD50N02-04L-GE3 | VIS | SQD50N02-04L-GE3 VIS TO-252 New Original Stocks | Dettagli |
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,%20SC-63.jpg "SQD50N04-09H-GE3") |
SQD50N04-09H-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 40V 50A TO252 | Dettagli |
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SQD50N04-4M5L_GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 40V 50A TO252AA | Dettagli |
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SQD50N04-5M6L_GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 40V 50A TO252AA | Dettagli |
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