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| Numero di parte | SQD40N10-25_GE3 |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 40A (Tc) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 70nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 3380pF @ 25V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 136W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 25 mOhm @ 40A, 10V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-252, (D-Pak) |
| Pacchetto / caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Peso | - |
| Paese d'origine | - |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | vista |
|---|---|---|---|---|
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SQD40030E_GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 40V TO252AA | Dettagli |
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SQD40031EL_GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CHAN 30V | Dettagli |
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SQD40061EL_GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CHAN 40V | Dettagli |
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SQD40081EL_GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CHAN 40V TO252 | Dettagli |
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SQD400A60N | SANREX | SQD400A60N SANREX SMD or Through Hole New Original Stocks | Dettagli |
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SQD400A60S | SANREX | SQD400A60S SANREX SMD or Through Hole New Original Stocks | Dettagli |
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SQD400AA100 | SANREX | SQD400AA100 SANREX SMD or Through Hole New Original Stocks | Dettagli |
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SQD400AA120 | EXSHINE | TRANSISTOR MODULE | Dettagli |
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SQD400BA60 | SANREX | SQD400BA60 SANREX SMD or Through Hole New Original Stocks | Dettagli |
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SQD40131EL_GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CHAN 40V D-S TO-252 | Dettagli |
