SQA442EJ-T1_GE3 Descrizione dettagliata
Numero di parte |
SQA442EJ-T1_GE3 |
Stato parte |
Active |
Tipo FET |
N-Channel |
Tecnologia |
MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) |
60V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C |
9A (Tc) |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) |
4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs |
32 mOhm @ 3A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id |
2.5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs |
9.7nC @ 10V |
Vgs (massimo) |
±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds |
636pF @ 25V |
Caratteristica FET |
- |
Dissipazione di potenza (max) |
13.6W (Tc) |
temperatura di esercizio |
-55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio |
Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore |
PowerPAK® SC-70-6 Single |
Pacchetto / caso |
PowerPAK® SC-70-6 |
Peso |
- |
Paese d'origine |
- |
PRODOTTI CORRELATI PER SQA442EJ-T1_GE3