SIS443DN-T1-GE3 - Vishay Siliconix

Numero di parte	SIS443DN-T1-GE3
Stato parte	Active
Tipo FET	P-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	40V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	35A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	135nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	4370pF @ 20V
Vgs (massimo)	±20V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	3.7W (Ta), 52W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	11.7 mOhm @ 15A, 10V
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	PowerPAK® 1212-8
Pacchetto / caso	PowerPAK® 1212-8
Peso	-
Paese d'origine	-

Numero di parte	Produttori	Descrizione	vista
SIS443DN-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET P-CH 40V 35A PPAK 1212-8	Dettagli
SIS444DN-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 30V 35A POWERPAK1212	Dettagli
SIS447DN-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET P-CH 20V 18A POWERPAK1212	Dettagli
SIS448DN-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 30V 35A 1212-8	Dettagli