SIR872ADP-T1-GE3 - Vishay Siliconix

Numero di parte	SIR872ADP-T1-GE3
Stato parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	150V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	53.7A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	7.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	47nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	1286pF @ 75V
Vgs (massimo)	±20V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	6.25W (Ta), 104W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	18 mOhm @ 20A, 10V
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	PowerPAK® SO-8
Pacchetto / caso	PowerPAK® SO-8
Peso	-
Paese d'origine	-

Numero di parte	Produttori	Descrizione	vista
SIR872ADP-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 150V 53.7A PPAK SO-8	Dettagli
SIR872ADP-T1-RE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 150V 53.7A SO-8	Dettagli
SIR872DP-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 150V 53.7A PPAK SO-8	Dettagli