| Numero di parte | SIR472DP-T1-GE3 |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 20A (Tc) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 23nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 820pF @ 15V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 3.9W (Ta), 29.8W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 12 mOhm @ 13.8A, 10V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | PowerPAK® SO-8 |
| Pacchetto / caso | PowerPAK® SO-8 |
| Peso | - |
| Paese d'origine | - |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | vista |
|---|---|---|---|---|
 |
SiR470DP-T1-E3 | VISHAY | SiR470DP-T1-E3 VISHAY QFN8 New Original Stocks | Dettagli |
|
SIR470DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8 | Dettagli |
|
SIR472ADP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 18A PPAK SO-8 | Dettagli |
|
SIR472DP | VISHAY | SIR472DP VISHAY QFN New Original Stocks | Dettagli |
|
SIR472DP-T1-E3 | VISHAY | SIR472DP-T1-E3 VISHAY QFN8 New Original Stocks | Dettagli |
|
SIR472DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 20A PPAK SO-8 | Dettagli |
|
SIR4740DP-T1-GE3P/b | VISHAY | SIR4740DP-T1-GE3P/b VISHAY QFN New Original Stocks | Dettagli |
|
SIR474DP | VISHAY | SIR474DP VISHAY QFN New Original Stocks | Dettagli |
|
SIR474DP-T1-E3 | VISHAY | SIR474DP-T1-E3 VISHAY QFN8 New Original Stocks | Dettagli |
|
SIR474DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 20A PPAK SO-8 | Dettagli |
