| Numero di parte | SIHP24N65EF-GE3 |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 24A (Tc) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 122nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2656pF @ 100V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 250W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 156 mOhm @ 12A, 10V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220AB |
| Pacchetto / caso | TO-220-3 |
| Peso | - |
| Paese d'origine | - |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | vista |
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SIHP20N50E-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 500V 19A TO-220AB | Dettagli |
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SIHP21N60EF-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 600V 21A TO-220AB | Dettagli |
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SIHP21N65EF-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 650V 21A TO-220AB | Dettagli |
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SIHP21N80AE-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET E SERIES 800V TO-220AB | Dettagli |
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SIHP22N60AE-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 600V 20A TO220AB | Dettagli |
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SIHP22N60AEL-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CHAN 600V | Dettagli |
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SIHP22N60E-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 600V 21A TO220AB | Dettagli |
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SIHP22N60E-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 600V 21A TO220AB | Dettagli |
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SIHP22N60EL-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 600V 21A TO220AB | Dettagli |
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SIHP22N65E-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 650V 22A TO-220AB | Dettagli |
