SIHP100N60E-GE3 - Vishay Siliconix

Numero di parte	SIHP100N60E-GE3
Stato parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	600V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	30A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	100 mOhm @ 13A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	50nC @ 10V
Vgs (massimo)	±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	1851pF @ 100V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	208W (Tc)
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore	TO-220AB
Pacchetto / caso	TO-220-3
Peso	-
Paese d'origine	-

Numero di parte	Produttori	Descrizione	vista
SIHP100N60E-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET E SERIES 600V TO-220AB	Dettagli
SIHP10N40D-E3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 400V 10A TO-220AB	Dettagli
SIHP10N40D-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 400V 10A TO-220AB	Dettagli
SIHP11N80E-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CHAN 850V TO-220AB	Dettagli
SIHP120N60E-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET E SERIES 600V TO-220AB	Dettagli
SIHP12N50C-E3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 500V 12A TO-220AB	Dettagli
SIHP12N50E-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 500V 10.5A TO-220AB	Dettagli
SIHP12N60E-E3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 600V 12A TO220AB	Dettagli
SIHP12N60E-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 600V 12A TO220AB	Dettagli
SIHP12N65E-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 650V 12A TO-220AB	Dettagli