SIHH068N60E-T1-GE3 - Vishay Siliconix

Numero di parte: SIHH068N60E-T1-GE3
fabbricante: Vishay Siliconix
Breve descrizione: MOSFET N-CHAN 600V POWERPAK 8X8
Stato senza piombo / Stato RoHS: Senza piombo / RoHS
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Categoria: Transistor - FET, MOSFET - Singoli
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Codice data: New
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Numero di parte	SIHH068N60E-T1-GE3
Stato parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	600V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	34A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	68 mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	80nC @ 10V
Vgs (massimo)	±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	2650pF @ 100V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	202W (Tc)
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	PowerPAK® 8 x 8
Pacchetto / caso	8-PowerTDFN
Peso	-
Paese d'origine	-

Immagine	Numero di parte	Produttori	Descrizione	vista
	SIHH068N60E-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CHAN 600V POWERPAK 8X8	Dettagli