| Numero di parte | SIHA20N50E-E3 |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 500V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 19A (Tc) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 92nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1640pF @ 100V |
| Vgs (massimo) | ±30V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 34W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 184 mOhm @ 10A, 10V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220 Full Pack |
| Pacchetto / caso | TO-220-3 Full Pack |
| Peso | - |
| Paese d'origine | - |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | vista |
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SIHA20N50E-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 500V 19A TO-220FP | Dettagli |
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SIHA21N60EF-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 600V 21A TO-220 FP | Dettagli |
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SIHA21N65EF-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 650V 21A TO-220 | Dettagli |
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SIHA22N60AE-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 600V 20A TO220 | Dettagli |
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SIHA22N60AEL-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CHAN 600V | Dettagli |
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SIHA22N60E-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 600V 21A TO-220 | Dettagli |
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SIHA22N60EL-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CHANNEL 600V 21A TO220 | Dettagli |
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SIHA240N60E-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CHAN 600V TO-220 FP | Dettagli |
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SIHA24N65EF-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 650V 24A TO220 | Dettagli |
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SIHA25N50E-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 500V 26A TO-220FP | Dettagli |
