| Numero di parte | SIHA11N80E-GE3 |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 800V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 12A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 440 mOhm @ 5.5A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 88nC @ 10V |
| Vgs (massimo) | ±30V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1670pF @ 100V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 34W (Tc) |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220 Full Pack |
| Pacchetto / caso | TO-220-3 Full Pack |
| Peso | - |
| Paese d'origine | - |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | vista |
|---|---|---|---|---|
|
SIHA100N60E-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 600V TO-220 FULLPAK | Dettagli |
|
SIHA11N80E-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CHAN 800V TO-220FP | Dettagli |
|
SIHA120N60E-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CHAN E SERIES 600V THIN | Dettagli |
 |
SIHA12N50E-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 500V 10.5A TO-220FP | Dettagli |
|
SIHA12N60E-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 600V 12A TO-220 | Dettagli |
|
SIHA14N60E-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 600V 13A TO220 | Dettagli |
|
SIHA15N50E-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 500V 14.5A TO-220FP | Dettagli |
|
SIHA15N60E-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 600V 15A TO-220 | Dettagli |
|
SIHA15N65E-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CHANNEL 650V 15A TO220 | Dettagli |
 |
SIHA17N80E-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 850V TO-220 FULLPAK | Dettagli |
