| Numero di parte | SIE808DF-T1-E3 |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 60A (Tc) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 155nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 8800pF @ 10V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 5.2W (Ta), 125W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.6 mOhm @ 25A, 10V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 10-PolarPAK® (L) |
| Pacchetto / caso | 10-PolarPAK® (L) |
| Peso | - |
| Paese d'origine | - |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | vista |
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SIE800DF | VISHAY | N-Channel 30-V (D-S) MOSFET | Dettagli |
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SIE800DF-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 50A 10-POLARPAK | Dettagli |
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SIE800DF-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 50A POLARPAK | Dettagli |
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SIE802DF-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 60A 10-POLARPAK | Dettagli |
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SIE802DF-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 60A POLARPAK | Dettagli |
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SIE804DF-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 150V 37A POLARPAK | Dettagli |
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SIE806DF | VISHAY | N-Channel 30-V (D-S) MOSFET | Dettagli |
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SIE806DF-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 60A 10-POLARPAK | Dettagli |
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SIE806DF-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 60A POLARPAK | Dettagli |
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SIE808DF | VISHAY | N-Channel 20-V (D-S) MOSFET | Dettagli |
