| Numero di parte | SIB419DK-T1-GE3 |
|---|---|
| Stato parte | Obsolete |
| Tipo FET | P-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 12V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 9A (Tc) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 1.8V, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 11.82nC @ 5V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 562pF @ 6V |
| Vgs (massimo) | ±8V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 2.45W (Ta), 13.1W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 60 mOhm @ 5.2A, 4.5V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | PowerPAK® SC-75-6L Single |
| Pacchetto / caso | PowerPAK® SC-75-6L |
| Peso | - |
| Paese d'origine | - |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | vista |
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SIB410DK-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 9A 8SO | Dettagli |
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SIB412DK-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 20V 9A SC75-6 | Dettagli |
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SIB412DK-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 20V 9A SC75-6 | Dettagli |
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SIB413DK-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 20V 9A SC75-6 | Dettagli |
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SIB414DK-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 8V 9A PPAK SC75-6 | Dettagli |
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SIB415DK-T1-E3 | VISHAY | SIB415DK-T1-E3 VISHAY QFN New Original Stocks | Dettagli |
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