SIA913ADJ-T1-GE3 - Vishay Siliconix

Numero di parte	SIA913ADJ-T1-GE3
Stato parte	Active
Tipo FET	2 P-Channel (Dual)
Caratteristica FET	Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)	12V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	4.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	61 mOhm @ 3.6A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	20nC @ 8V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	590pF @ 6V
Potenza - Max	6.5W
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto / caso	PowerPAK® SC-70-6 Dual
Pacchetto dispositivo fornitore	PowerPAK® SC-70-6 Dual
Peso	-
Paese d'origine	-

Numero di parte	Produttori	Descrizione	vista
SIA913ADJ-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET 2P-CH 12V 4.5A SC70-6	Dettagli
SIA913DJ-T1-E3	VISHAY	SIA913DJ-T1-E3 VISHAY QFN New Original Stocks	Dettagli
SIA913DJ-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET 2P-CH 12V 4.5A SC70-6	Dettagli