SI8821EDB-T2-E1 - Vishay Siliconix

Numero di parte	SI8821EDB-T2-E1
Stato parte	Active
Tipo FET	P-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	-
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	2.5V, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1.3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	17nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	440pF @ 15V
Vgs (massimo)	±12V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	500mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	135 mOhm @ 1A, 4.5V
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	4-Microfoot
Pacchetto / caso	4-XFBGA, CSPBGA
Peso	-
Paese d'origine	-

Numero di parte	Produttori	Descrizione	vista
SI8821EDB-T2-E1	Vishay Siliconix	MOSFET P-CH 30V MICRO FOOT	Dettagli
SI88220BC-IS	Silicon Labs	DGTL ISO 5KV 2CH GEN PURP 16SOIC	Dettagli
SI88220BC-ISR	Silicon Labs	DGTL ISO 5KV 2CH GEN PURP 16SOIC	Dettagli
SI88220BD-IS	Silicon Labs	DGTL ISO 5KV 2CH GEN PURP 16SOIC	Dettagli
SI88220BD-ISR	Silicon Labs	DGTL ISO 5KV 2CH GEN PURP 16SOIC	Dettagli
SI88220EC-IS	Silicon Labs	DGTL ISO 5KV 2CH GEN PURP 16SOIC	Dettagli
SI88220EC-ISR	Silicon Labs	DGTL ISO 5KV 2CH GEN PURP 16SOIC	Dettagli
SI88220ED-IS	Silicon Labs	DGTL ISO 5KV 2CH GEN PURP 16SOIC	Dettagli
SI88220ED-ISR	Silicon Labs	DGTL ISO 5KV 2CH GEN PURP 16SOIC	Dettagli
SI88221BC-IS	Silicon Labs	DGTL ISO 5KV 2CH GEN PURP 16SOIC	Dettagli