SI8467DB-T2-E1

SI8467DB-T2-E1 - Vishay Siliconix

Numero di parte
SI8467DB-T2-E1
fabbricante
Vishay Siliconix
Breve descrizione
MOSFET P-CH 20V MICROFOOT
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
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Categoria
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
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Codice data
New
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SI8467DB-T2-E1 Descrizione dettagliata

Numero di parte SI8467DB-T2-E1
Stato parte Obsolete
Tipo FET P-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C -
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 2.5V, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 21nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 475pF @ 10V
Vgs (massimo) ±12V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 780mW (Ta), 1.8W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 73 mOhm @ 1A, 4.5V
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore 4-Microfoot
Pacchetto / caso 4-XFBGA, CSPBGA
Peso -
Paese d'origine -

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