SI8467DB-T2-E1 Descrizione dettagliata
Numero di parte |
SI8467DB-T2-E1 |
Stato parte |
Obsolete |
Tipo FET |
P-Channel |
Tecnologia |
MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) |
20V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C |
- |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) |
2.5V, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id |
1.5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs |
21nC @ 10V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds |
475pF @ 10V |
Vgs (massimo) |
±12V |
Caratteristica FET |
- |
Dissipazione di potenza (max) |
780mW (Ta), 1.8W (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs |
73 mOhm @ 1A, 4.5V |
temperatura di esercizio |
-55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio |
Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore |
4-Microfoot |
Pacchetto / caso |
4-XFBGA, CSPBGA |
Peso |
- |
Paese d'origine |
- |
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