SI7960DP-T1-E3 Descrizione dettagliata
| Numero di parte |
SI7960DP-T1-E3 |
| Stato parte |
Obsolete |
| Tipo FET |
2 N-Channel (Dual) |
| Caratteristica FET |
Logic Level Gate |
| Drain to Source Voltage (Vdss) |
60V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C |
6.2A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs |
21 mOhm @ 9.7A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id |
3V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs |
75nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds |
- |
| Potenza - Max |
1.4W |
| temperatura di esercizio |
-55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio |
Surface Mount |
| Pacchetto / caso |
PowerPAK® SO-8 Dual |
| Pacchetto dispositivo fornitore |
PowerPAK® SO-8 Dual |
| Peso |
- |
| Paese d'origine |
- |
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