SI7904BDN-T1-GE3 Descrizione dettagliata
Numero di parte |
SI7904BDN-T1-GE3 |
Stato parte |
Active |
Tipo FET |
2 N-Channel (Dual) |
Caratteristica FET |
Logic Level Gate |
Drain to Source Voltage (Vdss) |
20V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C |
6A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs |
30 mOhm @ 7.1A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id |
1V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs |
24nC @ 8V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds |
860pF @ 10V |
Potenza - Max |
17.8W |
temperatura di esercizio |
-55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio |
Surface Mount |
Pacchetto / caso |
PowerPAK® 1212-8 Dual |
Pacchetto dispositivo fornitore |
PowerPAK® 1212-8 Dual |
Peso |
- |
Paese d'origine |
- |
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