| Numero di parte | SI7860ADP-T1-E3 |
|---|---|
| Stato parte | Obsolete |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 11A (Ta) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 18nC @ 4.5V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 1.8W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9.5 mOhm @ 16A, 10V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | PowerPAK® SO-8 |
| Pacchetto / caso | PowerPAK® SO-8 |
| Peso | - |
| Paese d'origine | - |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | vista |
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SI786 | VISHAY | Dual-Output Power-Supply Controller | Dettagli |
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SI7860 | ORIGINAL | SI7860 ORIGINAL SMD or Through Hole New Original Stocks | Dettagli |
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SI7860ADP | VIS | SI7860ADP VIS QFN8 New Original Stocks | Dettagli |
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SI7860ADP-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 11A PPAK SO-8 | Dettagli |
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SI7860ADP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 11A PPAK SO-8 | Dettagli |
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SI7860DP | VISHAY | SI7860DP VISHAY SO-8 New Original Stocks | Dettagli |
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SI7860DP-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 11A PPAK SO-8 | Dettagli |
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SI7860DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 11A PPAK SO-8 | Dettagli |
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SI7862ADP-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 16V 18A PPAK SO-8 | Dettagli |
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SI7862ADP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 16V 18A PPAK SO-8 | Dettagli |
