SI7366DP-T1-E3

SI7366DP-T1-E3 - Vishay Siliconix

Numero di parte
SI7366DP-T1-E3
fabbricante
Vishay Siliconix
Breve descrizione
MOSFET N-CH 20V 13A PPAK SO-8
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
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Categoria
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
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Codice data
New
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SI7366DP-T1-E3 Descrizione dettagliata

Numero di parte SI7366DP-T1-E3
Stato parte Obsolete
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 13A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 25nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds -
Vgs (massimo) ±20V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 1.7W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.5 mOhm @ 20A, 10V
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore PowerPAK® SO-8
Pacchetto / caso PowerPAK® SO-8
Peso -
Paese d'origine -

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