| Numero di parte | SI6469DQ-T1-E3 |
|---|---|
| Stato parte | Obsolete |
| Tipo FET | P-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 8V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | - |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 1.8V, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 450mV @ 250µA (Min) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 40nC @ 4.5V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| Vgs (massimo) | ±8V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 1.5W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 28 mOhm @ 6A, 4.5V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 8-TSSOP |
| Pacchetto / caso | 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) |
| Peso | - |
| Paese d'origine | - |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | vista |
|---|---|---|---|---|
 |
SI6463ADQ-T1 | SIL | SI6463ADQ-T1 SIL MSOP-8 New Original Stocks | Dettagli |
|
SI6463ADQ-T1-E3 | VISHAY | SI6463ADQ-T1-E3 VISHAY TSSOP-.. New Original Stocks | Dettagli |
|
SI6463BDQ | VIS | SI6463BDQ VIS TSSOP8 New Original Stocks | Dettagli |
|
SI6463BDQ-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 20V 6.2A 8-TSSOP | Dettagli |
|
SI6463BDQ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 20V 6.2A 8-TSSOP | Dettagli |
|
SI6463DQ-T1 | SILICONIX | SI6463DQ-T1 SILICONIX SOP8 New Original Stocks | Dettagli |
|
SI6463DQ-T1-E3 | VISHAY | SI6463DQ-T1-E3 VISHAY MSOP-8 New Original Stocks | Dettagli |
|
SI6465DQ-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 8V 8.8A 8TSSOP | Dettagli |
|
SI6465DQ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 8V 8.8A 8TSSOP | Dettagli |
|
SI6466ADQ | VISHAY | N-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET | Dettagli |
