SI6413DQ-T1-GE3 - Vishay Siliconix

Numero di parte	SI6413DQ-T1-GE3
Stato parte	Active
Tipo FET	P-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	7.2A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	1.8V, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	800mV @ 400µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	105nC @ 5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	-
Vgs (massimo)	±8V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	1.05W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	10 mOhm @ 8.8A, 4.5V
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	8-TSSOP
Pacchetto / caso	8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Peso	-
Paese d'origine	-

Numero di parte	Produttori	Descrizione	vista
SI6410DQ-T1-E3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 30V 7.8A 8-TSSOP	Dettagli
SI6410DQ-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 30V 7.8A 8-TSSOP	Dettagli
SI6413DQ	VIS	SI6413DQ VIS TSSOP8 New Original Stocks	Dettagli
SI6413DQ-T1-E3	Vishay Siliconix	MOSFET P-CH 20V 7.2A 8TSSOP	Dettagli
SI6413DQ-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET P-CH 20V 7.2A 8TSSOP	Dettagli
SI6415DQ	VIS	SI6415DQ VIS MSOP8 New Original Stocks	Dettagli
SI6415DQ-T1-E3	Vishay Siliconix	MOSFET P-CH 30V 6.5A 8-TSSOP	Dettagli
SI6415DQ-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET P-CH 30V 6.5A 8-TSSOP	Dettagli