| Numero di parte | SI5504DC-T1-GE3 |
|---|---|
| Stato parte | Obsolete |
| Tipo FET | N and P-Channel |
| Caratteristica FET | Logic Level Gate |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 2.9A, 2.1A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 85 mOhm @ 2.9A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA (Min) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 7.5nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| Potenza - Max | 1.1W |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / caso | 8-SMD, Flat Lead |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 1206-8 ChipFET™ |
| Peso | - |
| Paese d'origine | - |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | vista |
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SI5504BDC | VISHAY | N- and P-Channel 30-V (D-S) MOSFET | Dettagli |
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SI5504BDC-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N/P-CH 30V 4A 1206-8 | Dettagli |
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SI5504BDC-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N/P-CH 30V 4A 1206-8 | Dettagli |
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Si5504DC | VISHAY | Complementary 30-V (D-S) MOSFET | Dettagli |
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SI5504DC-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N/P-CH 30V 2.9A 1206-8 | Dettagli |
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Si5509DC | VISHAY | N- and P-Channel 20-V (D-S) MOSFET | Dettagli |
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SI5509DC-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N/P-CH 20V 6.1A 1206-8 | Dettagli |
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SI5509DC-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N/P-CH 20V 6.1A 1206-8 | Dettagli |
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SI5509DC_08 | VISHAY | N- and P-Channel 20-V (D-S) MOSFET | Dettagli |
