SI5432DC-T1-GE3

SI5432DC-T1-GE3 - Vishay Siliconix

Numero di parte
SI5432DC-T1-GE3
fabbricante
Vishay Siliconix
Breve descrizione
MOSFET N-CH 20V 6A 1206-8
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
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Categoria
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
Tempo di consegna
1 Day
Codice data
New
Quantità di stock
33580 pcs
Prezzo di riferimento
USD 0.7546/pcs
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SI5432DC-T1-GE3 Descrizione dettagliata

Numero di parte SI5432DC-T1-GE3
Stato parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 6A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 2.5V, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 33nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1200pF @ 10V
Vgs (massimo) ±12V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 2.5W (Ta), 6.3W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 20 mOhm @ 8.3A, 4.5V
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore 1206-8 ChipFET™
Pacchetto / caso 8-SMD, Flat Lead
Peso -
Paese d'origine -

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