| Numero di parte | SI4909DY-T1-GE3 |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | 2 P-Channel (Dual) |
| Caratteristica FET | Logic Level Gate |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 8A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 27 mOhm @ 8A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 63nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2000pF @ 20V |
| Potenza - Max | 3.2W |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / caso | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 8-SO |
| Peso | - |
| Paese d'origine | - |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | vista |
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