SI4890DY-T1-E3

SI4890DY-T1-E3 - Vishay Siliconix

Numero di parte
SI4890DY-T1-E3
fabbricante
Vishay Siliconix
Breve descrizione
MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
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Categoria
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
Tempo di consegna
1 Day
Codice data
New
Quantità di stock
6250 pcs
Prezzo di riferimento
USD 1.4108/pcs
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SI4890DY-T1-E3 Descrizione dettagliata

Numero di parte SI4890DY-T1-E3
Stato parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C -
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 800mV @ 250µA (Min)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 20nC @ 5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds -
Vgs (massimo) ±25V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 12 mOhm @ 11A, 10V
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore 8-SO
Pacchetto / caso 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Peso -
Paese d'origine -

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