Numero di parte | SI4823DY-T1-E3 |
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Stato parte | Active |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 4.1A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 2.5V, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 12nC @ 10V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 660pF @ 10V |
Vgs (massimo) | ±12V |
Caratteristica FET | Schottky Diode (Isolated) |
Dissipazione di potenza (max) | 1.7W (Ta), 2.8W (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 108 mOhm @ 3.3A, 4.5V |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-SO |
Pacchetto / caso | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Peso | - |
Paese d'origine | - |