SI4542DY-T1-E3

SI4542DY-T1-E3 - Vishay Siliconix

Numero di parte
SI4542DY-T1-E3
fabbricante
Vishay Siliconix
Breve descrizione
MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
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Categoria
Transistor - FET, MOSFET - Array
Tempo di consegna
1 Day
Codice data
New
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SI4542DY-T1-E3 Descrizione dettagliata

Numero di parte SI4542DY-T1-E3
Stato parte Obsolete
Tipo FET N and P-Channel
Caratteristica FET Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 25 mOhm @ 6.9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA (Min)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 50nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds -
Potenza - Max 2W
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / caso 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore 8-SO
Peso -
Paese d'origine -

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