SI4409DY-T1-GE3

SI4409DY-T1-GE3 - Vishay Siliconix

Numero di parte
SI4409DY-T1-GE3
fabbricante
Vishay Siliconix
Breve descrizione
MOSFET P-CH 150V 1.3A 8-SOIC
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
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Categoria
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
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Codice data
New
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SI4409DY-T1-GE3 Descrizione dettagliata

Numero di parte SI4409DY-T1-GE3
Stato parte Obsolete
Tipo FET P-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 150V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 1.3A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 6V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 12nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 332pF @ 50V
Vgs (massimo) ±20V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 2.2W (Ta), 4.6W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.2 Ohm @ 500mA, 10V
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore 8-SO
Pacchetto / caso 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Peso -
Paese d'origine -

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