SI4390DY-T1-GE3

SI4390DY-T1-GE3 - Vishay Siliconix

Numero di parte
SI4390DY-T1-GE3
fabbricante
Vishay Siliconix
Breve descrizione
MOSFET N-CH 30V 8.5A 8SOIC
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
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Categoria
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
Tempo di consegna
1 Day
Codice data
New
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Prezzo di riferimento
USD 1.3811/pcs
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SI4390DY-T1-GE3 Descrizione dettagliata

Numero di parte SI4390DY-T1-GE3
Stato parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 8.5A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.8V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 15nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds -
Vgs (massimo) ±20V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 1.4W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 9.5 mOhm @ 12.5A, 10V
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore 8-SO
Pacchetto / caso 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Peso -
Paese d'origine -

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