SI4388DY-T1-GE3

SI4388DY-T1-GE3 - Vishay Siliconix

Numero di parte
SI4388DY-T1-GE3
fabbricante
Vishay Siliconix
Breve descrizione
MOSFET 2N-CH 30V 10.7A 8-SOIC
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
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Categoria
Transistor - FET, MOSFET - Array
Tempo di consegna
1 Day
Codice data
New
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SI4388DY-T1-GE3 Descrizione dettagliata

Numero di parte SI4388DY-T1-GE3
Stato parte Obsolete
Tipo FET 2 N-Channel (Half Bridge)
Caratteristica FET Standard
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 10.7A, 11.3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 16 mOhm @ 8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 27nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 946pF @ 15V
Potenza - Max 3.3W, 3.5W
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / caso 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore 8-SO
Peso -
Paese d'origine -

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