SI3981DV-T1-E3

SI3981DV-T1-E3 - Vishay Siliconix

Numero di parte
SI3981DV-T1-E3
fabbricante
Vishay Siliconix
Breve descrizione
MOSFET 2P-CH 20V 1.6A 6-TSOP
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
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Categoria
Transistor - FET, MOSFET - Array
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New
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SI3981DV-T1-E3 Descrizione dettagliata

Numero di parte SI3981DV-T1-E3
Stato parte Obsolete
Tipo FET 2 P-Channel (Dual)
Caratteristica FET Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 1.6A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 185 mOhm @ 1.9A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1.1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 5nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds -
Potenza - Max 800mW
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / caso SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Pacchetto dispositivo fornitore 6-TSOP
Peso -
Paese d'origine -

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