SI3812DV-T1-GE3 Descrizione dettagliata
Numero di parte |
SI3812DV-T1-GE3 |
Stato parte |
Obsolete |
Tipo FET |
N-Channel |
Tecnologia |
MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) |
20V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C |
2A (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) |
2.5V, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id |
600mV @ 250µA (Min) |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs |
4nC @ 4.5V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds |
- |
Vgs (massimo) |
±12V |
Caratteristica FET |
Schottky Diode (Isolated) |
Dissipazione di potenza (max) |
830mW (Ta) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs |
125 mOhm @ 2.4A, 4.5V |
temperatura di esercizio |
-55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio |
Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore |
6-TSOP |
Pacchetto / caso |
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
Peso |
- |
Paese d'origine |
- |
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