SI2327DS-T1-E3

SI2327DS-T1-E3 - Vishay Siliconix

Numero di parte
SI2327DS-T1-E3
fabbricante
Vishay Siliconix
Breve descrizione
MOSFET P-CH 200V 0.38A SOT23-3
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
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Categoria
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
Tempo di consegna
1 Day
Codice data
New
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SI2327DS-T1-E3 Descrizione dettagliata

Numero di parte SI2327DS-T1-E3
Stato parte Obsolete
Tipo FET P-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 200V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 380mA (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 6V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 12nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 510pF @ 25V
Vgs (massimo) ±20V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 750mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.35 Ohm @ 500mA, 10V
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore SOT-23-3 (TO-236)
Pacchetto / caso TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Peso -
Paese d'origine -

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