SI1900DL-T1-E3

SI1900DL-T1-E3 - Vishay Siliconix

Numero di parte
SI1900DL-T1-E3
fabbricante
Vishay Siliconix
Breve descrizione
MOSFET 2N-CH 30V 0.59A SC70-6
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
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Categoria
Transistor - FET, MOSFET - Array
Tempo di consegna
1 Day
Codice data
New
Quantità di stock
115516 pcs
Prezzo di riferimento
USD 0.2217/pcs
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SI1900DL-T1-E3 Descrizione dettagliata

Numero di parte SI1900DL-T1-E3
Stato parte Active
Tipo FET 2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 590mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 480 mOhm @ 590mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 1.4nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds -
Potenza - Max 270mW
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / caso 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Pacchetto dispositivo fornitore SC-70-6 (SOT-363)
Peso -
Paese d'origine -

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