S2G-E3/1 - Vishay Semiconductor Diodes Division

Numero di parte	S2G-E3/1
Stato parte	Active
Tipo diodo	Standard
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max)	400V
Corrente - Rettificato medio (Io)	1.5A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If	1.15V @ 1.5A
Velocità	Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr)	2µs
Corrente - Perdita inversa @ Vr	1µA @ 400V
Capacità @ Vr, F	16pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto / caso	DO-214AA, SMB
Pacchetto dispositivo fornitore	DO-214AA (SMB)
Temperatura operativa - Giunzione	-55°C ~ 150°C
Peso	-
Paese d'origine	-

Numero di parte	Produttori	Descrizione	vista
S2G	Fairchild/ON Semiconductor	DIODE GEN PURP 400V 2A DO214AA	Dettagli
S2G M4G	Taiwan Semiconductor Corporation	DIODE GEN PURP 400V 2A DO214AA	Dettagli
S2G R5G	Taiwan Semiconductor Corporation	DIODE GEN PURP 400V 2A DO214AA	Dettagli
S2G-13	Diodes Incorporated	DIODE GEN PURP 400V 1.5A SMB	Dettagli
S2G-13-F	Diodes Incorporated	DIODE GEN PURP 400V 1.5A SMB	Dettagli
S2G-E3/1	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE GEN PURP 400V 1.5A DO214AA	Dettagli
S2G-E3/52T	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE GEN PURP 400V 1.5A DO214AA	Dettagli
S2G-E3/5BT	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE GEN PURP 400V 1.5A DO214AA	Dettagli
S2G-LTP	Micro Commercial Co	DIODE GEN PURP 400V DO214AA	Dettagli
S2G-M3/52T	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE GPP 1.5A 400V DO-214AA	Dettagli