| Numero di parte | RS1G-M3/61T |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo diodo | Standard |
| Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 400V |
| Corrente - Rettificato medio (Io) | 1A |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.3V @ 1A |
| Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Tempo di recupero inverso (trr) | 150ns |
| Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 400V |
| Capacità @ Vr, F | 10pF @ 4V, 1MHz |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / caso | DO-214AC, SMA |
| Pacchetto dispositivo fornitore | DO-214AC (SMA) |
| Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
| Peso | - |
| Paese d'origine | - |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | vista |
|---|---|---|---|---|
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RS1G | Fairchild/ON Semiconductor | DIODE GEN PURP 400V 1A SMA | Dettagli |
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RS1G M2G | Taiwan Semiconductor Corporation | DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC | Dettagli |
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RS1G R3G | Taiwan Semiconductor Corporation | DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC | Dettagli |
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RS1G-13 | Diodes Incorporated | DIODE GEN PURP 400V 1A SMA | Dettagli |
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RS1G-13-F | Diodes Incorporated | DIODE GEN PURP 400V 1A SMA | Dettagli |
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RS1G-E3 | VISHAY | RS1G-E3 VISHAY DO214A.. New Original Stocks | Dettagli |
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RS1G-E3/5AT | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC | Dettagli |
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RS1G-E3/61T | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC | Dettagli |
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RS1G-M3/5AT | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE SW 1A 400V DO-214AC | Dettagli |
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RS1G-M3/61T | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE SW 1A 400V DO-214AC | Dettagli |
