| Numero di parte | IRLU014PBF |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 7.7A (Tc) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4V, 5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 8.4nC @ 5V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 400pF @ 25V |
| Vgs (massimo) | ±10V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 2.5W (Ta), 25W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 200 mOhm @ 4.6A, 5V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-251AA |
| Pacchetto / caso | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Peso | - |
| Paese d'origine | - |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | vista |
|---|---|---|---|---|
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IRLU014 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 60V 7.7A I-PAK | Dettagli |
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IRLU014N | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 10A I-PAK | Dettagli |
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IRLU014NPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 10A I-PAK | Dettagli |
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IRLU014PBF | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 60V 7.7A I-PAK | Dettagli |
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IRLU024 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 60V 14A I-PAK | Dettagli |
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IRLU024N | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 17A I-PAK | Dettagli |
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IRLU024NPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 17A I-PAK | Dettagli |
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IRLU024PBF | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 60V 14A I-PAK | Dettagli |
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IRLU024ZPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 16A I-PAK | Dettagli |
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IRLU110 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 4.3A I-PAK | Dettagli |
