| Numero di parte | IRLI620GPBF |
|---|---|
| Stato parte | Obsolete |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 4A (Tc) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4V, 5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 16nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 360pF @ 25V |
| Vgs (massimo) | ±10V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 30W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 800 mOhm @ 2.4A, 5V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220-3 |
| Pacchetto / caso | TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab |
| Peso | - |
| Paese d'origine | - |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | vista |
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IRLI2203NPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 61A TO220FP | Dettagli |
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IRLI510ATU | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 100V 5.6A I2PAK | Dettagli |
