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Casa › Categorie di Prodotto › Dispositivi a semiconduttore discreti › Transistor - FET, MOSFET - Singoli › IRFR210PBF
IRFR210PBF

IRFR210PBF - Vishay Siliconix

Numero di parte
IRFR210PBF
fabbricante
Vishay Siliconix
Breve descrizione
MOSFET N-CH 200V 2.6A DPAK
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Vista online della scheda tecnica
IRFR210PBF Navigazione online PDF
Scarica il PDF della scheda tecnica
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Categoria
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
Tempo di consegna
1 Day
Codice data
New
Quantità di stock
2105 pcs
Prezzo di riferimento
USD 0.99/pcs
Il nostro prezzo
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IRFR210PBF Descrizione dettagliata

Numero di parte IRFR210PBF
Stato parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 200V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 2.6A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 8.2nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 140pF @ 25V
Vgs (massimo) ±20V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.5 Ohm @ 1.6A, 10V
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore D-Pak
Pacchetto / caso TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Peso -
Paese d'origine -

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