IRFP048PBF - Vishay Siliconix

Numero di parte	IRFP048PBF
Stato parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	60V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	70A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	110nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	2400pF @ 25V
Vgs (massimo)	±20V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	190W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	18 mOhm @ 44A, 10V
temperatura di esercizio	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio	Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore	TO-247-3
Pacchetto / caso	TO-247-3
Peso	-
Paese d'origine	-

Numero di parte	Produttori	Descrizione	vista
IRFP044	IR	IRFP044 IR TO-247 New Original Stocks	Dettagli
IRFP044N	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 55V 53A TO-247AC	Dettagli
IRFP044NPBF	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 55V 53A TO-247AC	Dettagli
IRFP044PBF	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 60V 57A TO-247AC	Dettagli
IRFP048	IR	IRFP048 IR TO-247 New Original Stocks	Dettagli
IRFP048N	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 55V 64A TO-247AC	Dettagli
IRFP048NPBF	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 55V 64A TO-247AC	Dettagli
IRFP048PBF	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 60V 70A TO-247AC	Dettagli
IRFP048R	VISHAY	Power MOSFET	Dettagli
IRFP048RPBF	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 60V 70A TO-247AC	Dettagli